ਵੇਫਰ ਸ਼ੁੱਧ ਸਿਲੀਕਾਨ (Si) ਦਾ ਬਣਿਆ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ 6-ਇੰਚ, 8-ਇੰਚ ਅਤੇ 12-ਇੰਚ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਵਿੱਚ ਵੰਡਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਇਸ ਵੇਫਰ ਦੇ ਅਧਾਰ ਤੇ ਵੇਫਰ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਖਿੱਚਣ ਅਤੇ ਕੱਟਣ ਵਰਗੀਆਂ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਰਾਹੀਂ ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰਾਂ ਤੋਂ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਗਏ ਸਿਲੀਕਾਨ ਵੇਫਰਾਂ ਨੂੰ ਵੇਫਰ ਬੇਕਾ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।ਵਰਤੋ ਉਹ ਆਕਾਰ ਵਿੱਚ ਗੋਲ ਹਨ.ਵੱਖ-ਵੱਖ ਸਰਕਟ ਤੱਤ ਬਣਤਰਾਂ ਨੂੰ ਖਾਸ ਬਿਜਲਈ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਵਾਲੇ ਉਤਪਾਦ ਬਣਨ ਲਈ ਸਿਲੀਕਾਨ ਵੇਫਰਾਂ 'ਤੇ ਸੰਸਾਧਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।ਕਾਰਜਸ਼ੀਲ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ ਉਤਪਾਦ.ਵੇਫਰ ਬਹੁਤ ਛੋਟੇ ਸਰਕਟ ਢਾਂਚੇ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਦੀ ਇੱਕ ਲੜੀ ਵਿੱਚੋਂ ਲੰਘਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਫਿਰ ਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਚਿੱਪਾਂ ਵਿੱਚ ਕੱਟਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਪੈਕ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਟੈਸਟ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਪਕਰਨਾਂ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।ਵੇਫਰ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਨੇ 60 ਸਾਲਾਂ ਤੋਂ ਵੱਧ ਤਕਨੀਕੀ ਵਿਕਾਸ ਅਤੇ ਉਦਯੋਗਿਕ ਵਿਕਾਸ ਦਾ ਅਨੁਭਵ ਕੀਤਾ ਹੈ, ਇੱਕ ਉਦਯੋਗਿਕ ਸਥਿਤੀ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਸਿਲੀਕਾਨ ਦਾ ਦਬਦਬਾ ਹੈ ਅਤੇ ਨਵੀਂ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਦੁਆਰਾ ਪੂਰਕ ਹੈ।
ਦੁਨੀਆ ਦੇ 80% ਮੋਬਾਈਲ ਫੋਨ ਅਤੇ ਕੰਪਿਊਟਰ ਚੀਨ ਵਿੱਚ ਪੈਦਾ ਹੁੰਦੇ ਹਨ।ਚੀਨ ਆਪਣੀਆਂ ਉੱਚ-ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਾਲੀਆਂ ਚਿਪਸ ਦੇ 95% ਲਈ ਆਯਾਤ 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਚੀਨ ਚਿਪਸ ਨੂੰ ਆਯਾਤ ਕਰਨ ਲਈ ਹਰ ਸਾਲ US $220 ਬਿਲੀਅਨ ਖਰਚ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਚੀਨ ਦੇ ਸਾਲਾਨਾ ਤੇਲ ਆਯਾਤ ਦਾ ਦੁੱਗਣਾ ਹੈ।ਫੋਟੋਲਿਥੋਗ੍ਰਾਫੀ ਮਸ਼ੀਨਾਂ ਅਤੇ ਚਿੱਪ ਉਤਪਾਦਨ ਨਾਲ ਸਬੰਧਤ ਸਾਰੇ ਉਪਕਰਣ ਅਤੇ ਸਮੱਗਰੀ ਵੀ ਬਲੌਕ ਕੀਤੀ ਗਈ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਵੇਫਰ, ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੀਆਂ ਧਾਤਾਂ, ਐਚਿੰਗ ਮਸ਼ੀਨਾਂ, ਆਦਿ।
ਅੱਜ ਅਸੀਂ ਵੇਫਰ ਮਸ਼ੀਨਾਂ ਦੇ ਯੂਵੀ ਲਾਈਟ ਮਿਟਾਉਣ ਦੇ ਸਿਧਾਂਤ ਬਾਰੇ ਸੰਖੇਪ ਵਿੱਚ ਗੱਲ ਕਰਾਂਗੇ।ਡੇਟਾ ਲਿਖਣ ਵੇਲੇ, ਗੇਟ ਉੱਤੇ ਉੱਚ ਵੋਲਟੇਜ VPP ਲਗਾ ਕੇ ਫਲੋਟਿੰਗ ਗੇਟ ਵਿੱਚ ਚਾਰਜ ਲਗਾਉਣਾ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਹੇਠਾਂ ਚਿੱਤਰ ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ।ਕਿਉਂਕਿ ਇੰਜੈਕਟ ਕੀਤੇ ਚਾਰਜ ਵਿੱਚ ਸਿਲੀਕਾਨ ਆਕਸਾਈਡ ਫਿਲਮ ਦੀ ਊਰਜਾ ਦੀਵਾਰ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਵੇਸ਼ ਕਰਨ ਦੀ ਊਰਜਾ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਇਹ ਸਿਰਫ ਸਥਿਤੀ ਨੂੰ ਕਾਇਮ ਰੱਖ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਇਸ ਲਈ ਸਾਨੂੰ ਚਾਰਜ ਨੂੰ ਇੱਕ ਨਿਸ਼ਚਿਤ ਮਾਤਰਾ ਵਿੱਚ ਊਰਜਾ ਦੇਣੀ ਚਾਹੀਦੀ ਹੈ!ਇਹ ਉਦੋਂ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ ਅਲਟਰਾਵਾਇਲਟ ਰੋਸ਼ਨੀ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ.
ਜਦੋਂ ਫਲੋਟਿੰਗ ਗੇਟ ਅਲਟਰਾਵਾਇਲਟ ਕਿਰਨਾਂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਫਲੋਟਿੰਗ ਗੇਟ ਵਿਚਲੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਅਲਟਰਾਵਾਇਲਟ ਰੋਸ਼ਨੀ ਕੁਆਂਟਾ ਦੀ ਊਰਜਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਸਿਲੀਕਾਨ ਆਕਸਾਈਡ ਫਿਲਮ ਦੀ ਊਰਜਾ ਦੀਵਾਰ ਨੂੰ ਪ੍ਰਵੇਸ਼ ਕਰਨ ਲਈ ਊਰਜਾ ਨਾਲ ਗਰਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬਣ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਚਿੱਤਰ ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ, ਗਰਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਸਿਲੀਕਾਨ ਆਕਸਾਈਡ ਫਿਲਮ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਵੇਸ਼ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਸਬਸਟਰੇਟ ਅਤੇ ਗੇਟ ਵੱਲ ਵਹਿ ਜਾਂਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਮਿਟਾਏ ਗਏ ਰਾਜ ਵਿੱਚ ਵਾਪਸ ਆਉਂਦੇ ਹਨ।ਮਿਟਾਉਣ ਦੀ ਕਾਰਵਾਈ ਸਿਰਫ ਅਲਟਰਾਵਾਇਲਟ ਕਿਰਨਾਂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਕੇ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਮਿਟਾਇਆ ਨਹੀਂ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।ਦੂਜੇ ਸ਼ਬਦਾਂ ਵਿੱਚ, ਬਿੱਟਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ ਸਿਰਫ "1" ਤੋਂ "0" ਵਿੱਚ ਬਦਲੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਉਲਟ ਦਿਸ਼ਾ ਵਿੱਚ।ਚਿੱਪ ਦੀ ਸਮੁੱਚੀ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ ਮਿਟਾਉਣ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ ਕੋਈ ਹੋਰ ਤਰੀਕਾ ਨਹੀਂ ਹੈ.
ਅਸੀਂ ਜਾਣਦੇ ਹਾਂ ਕਿ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ ਦੀ ਊਰਜਾ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ ਦੀ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ ਦੇ ਉਲਟ ਅਨੁਪਾਤੀ ਹੈ।ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਨੂੰ ਗਰਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਬਣਨ ਲਈ ਅਤੇ ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਆਕਸਾਈਡ ਫਿਲਮ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਵੇਸ਼ ਕਰਨ ਲਈ ਊਰਜਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ, ਇੱਕ ਛੋਟੀ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ, ਯਾਨੀ ਅਲਟਰਾਵਾਇਲਟ ਕਿਰਨਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ ਦੀ ਕਿਰਨ ਦੀ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਲੋੜ ਹੈ।ਕਿਉਂਕਿ ਮਿਟਾਉਣ ਦਾ ਸਮਾਂ ਫੋਟੌਨਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਇਸ ਲਈ ਮਿਟਾਉਣ ਦਾ ਸਮਾਂ ਛੋਟੀ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ 'ਤੇ ਵੀ ਛੋਟਾ ਨਹੀਂ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ।ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਮਿਟਾਉਣਾ ਸ਼ੁਰੂ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ 4000A (400nm) ਦੇ ਆਸਪਾਸ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।ਇਹ ਮੂਲ ਰੂਪ ਵਿੱਚ 3000A ਦੇ ਆਸਪਾਸ ਸੰਤ੍ਰਿਪਤਾ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਦਾ ਹੈ।3000A ਤੋਂ ਹੇਠਾਂ, ਭਾਵੇਂ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ ਛੋਟੀ ਹੋਵੇ, ਇਸ ਦਾ ਮਿਟਣ ਦੇ ਸਮੇਂ 'ਤੇ ਕੋਈ ਅਸਰ ਨਹੀਂ ਹੋਵੇਗਾ।
UV ਮਿਟਾਉਣ ਦਾ ਮਿਆਰ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ 253.7nm ਦੀ ਸਟੀਕ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ ਅਤੇ ≥16000 μW/cm² ਦੀ ਤੀਬਰਤਾ ਨਾਲ ਅਲਟਰਾਵਾਇਲਟ ਕਿਰਨਾਂ ਨੂੰ ਸਵੀਕਾਰ ਕਰਨਾ ਹੈ।ਮਿਟਾਉਣ ਦੀ ਕਾਰਵਾਈ 30 ਮਿੰਟ ਤੋਂ ਲੈ ਕੇ 3 ਘੰਟਿਆਂ ਤੱਕ ਐਕਸਪੋਜ਼ਰ ਸਮੇਂ ਦੁਆਰਾ ਪੂਰੀ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ।
ਪੋਸਟ ਟਾਈਮ: ਦਸੰਬਰ-22-2023